Моя заявка (0)

NSV40301MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

NSV40301MZ4T1G, Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375171
Артикул
NSV40301MZ4T1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.75
Tab
Tab
Type
NPN
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 79,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LOW SAT BP

Технические параметры

HTS8541.29.00.75
TabTab
TypeNPN
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.11
СерияNSS40301
PCB changed3
Part StatusActive
ConfigurationSingle Dual Collector
Package Width3.5
Package Height1.57
Package Length6.5
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
УпаковкаReel, Cut Tape
Структураnpn
AEC Qualified NumberAEC-Q101
ТехнологияSi
Standard Package NameSOT-223
Minimum DC Current Gain100@3A@1V|220@0.5A@1V|200@1A@1V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Maximum DC Collector Current (A)3
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Transition Frequency (MHz)215(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1@0.1A@1A
Полярность транзистораNPN
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.2@0.3A@3A|0.1@20mA@1A|0.05@50mA@0.5A
Размер фабричной упаковки1000

Техническая документация