Моя заявка (0)

NSV40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR

NSV40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375169
Артикул
NSV40201LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Серия
NSS40201L
Структура
npn
Технология
Si
Цена по запросу
(от 44,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR

Технические параметры

Вес, г0.01
СерияNSS40201L
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности460 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер6 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.370 at 500 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 500 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация