NSV40200LT1G, 100nA 40V 540mW 300@500mA,2V 2A 100MHz 135mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017620889
- Артикул
- NSV40200LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 30,29 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 460 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 250 at-10 mA, -2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 135 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |