Моя заявка (0)

NSV1C201MZ4T1G, 100nA 100V 2W 120@500mA,2V 2A 100MHz 180mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

NSV1C201MZ4T1G, 100nA 100V 2W 120@500mA,2V 2A 100MHz 180mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017594918
Артикул
NSV1C201MZ4T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3+Tab
Вес, г
1
Package Type
SOT-223
Корпус
SOT-223
Цена по запросу
(от 37,29 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Это устройства без PbFree с приставкой NSV для автомобильной промышленности и другиx приложений, требующиx уникальныx требований к месту установки и управлению, с поддержкой PPAP

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г1
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation800мВт
Структураnpn
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Number of Elements per Chip1
Continuous Collector Current2А
Maximum Emitter Base Voltage7 V dc
Collector Emitter Voltage Max100В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE40hFE
Maximum Collector Emitter Voltage100 V dc
Частота Перехода ft100МГц
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Техническая документация