NSTB60BDW1T1G, Digital Transistors SS GP XSTR NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006251523
- Артикул
- NSTB60BDW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2 mm
- Серия
- NSTB60
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 21,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS GP XSTR NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | NSTB60 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 256 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Типичное входное сопротивление | 22 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 2.13 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |