Моя заявка (0)

NST847BPDP6T5G, Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

NST847BPDP6T5G, Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000997245
Артикул
NST847BPDP6T5G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.75
Brand
ON Semiconductor
Width
0.8 mm
Height
0.37 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 6638 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.75
BrandON Semiconductor
Width0.8 mm
Height0.37 mm
Length1 mm
SeriesNST847BPDP6T5G
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeFlat
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
SubcategoryTransistors
Unit Weight0.000042 oz
ManufacturerON Semiconductor
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors
ConfigurationDual
Package Width0.8
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-963-6
Package Height0.37
Package Length1
Product CategoryBipolar Transistors - BJT
Supplier PackageSOT-963
Структураnpn
Transistor PolarityNPN, PNP
Factory Pack Quantity8000
Standard Package NameSC-89
Pd - Power Dissipation420 mW
DC Current Gain HFE Max200 at 2 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product FT100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector- Base Voltage VCBO50 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Minimum Operating Temperature- 55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max45 V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация