NST847BDP6T5G, Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375156
- Артикул
- NST847BDP6T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.0012
- Длина
- 1 mm
- Серия
- NST847BDP6
- Высота
- 0.37 mm
Цена по запросу
(от 29,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN GP TRANS
Технические параметры
| Вес, г | 0.0012 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | NST847BDP6 |
| Высота | 0.37 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-963-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |