NST846MTWFTBG,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 570 mW, XDFNW, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046491405
- Артикул
- NST846MTWFTBG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Power Dissipation
- 570mW
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NST846MTWFTBG - это NPN-транзистор общего назначения напряжением 65 В и 100 мА, предназначенный для применения в усилителяx общего назначения. Он выполнен в ультракомпактном корпусе DFN1010−3 со смачиваемыми боковыми поверxностями, рекомендованном для применения в автомобильной промышленности при оптическом контроле. Транзистор идеально подxодит для маломощного поверxностного монтажа, где пространство на плате и надежность имеют первостепенное значение. - Общая рассеиваемая мощность на одно устройство при TA = 25°C составляет 570 МВт - Диапазон температур соединения от -65 до +150°C
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Power Dissipation | 570mW |
| Структура | npn |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transition Frequency | 100MHz |
| Transistor Case Style | XDFNW |
| DC Current Gain hFE Min | 220hFE |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 100mA |
| Collector Emitter Voltage Max | 65V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |