NST846BF3T5G, Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.347W; SOT1123
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062241095
- Артикул
- NST846BF3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 0.6 mm
- Серия
- NST846BF3T5G
- Высота
- 0.37 mm
Цена по запросу
(от 19,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN GP TRANSISTOR
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 0.6 mm |
| Серия | NST846BF3T5G |
| Высота | 0.37 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-1123-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 347 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |