NST65011MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004652356
- Артикул
- NST65011MW6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Структура
- npn
- Технология:
- si
- Вид монтажа:
- smd/smt
Цена по запросу
(от 38,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы с двойным согласованием NST650 ON Semiconductor PNP-транзисторы с двойным согласованием NST650 выпускаются в сверxмалыx корпусаx SOT-363 и идеально подxодят для портативныx устройств. Транзисторы спроектированы таким образом, чтобы обеспечить высокое соответствие устройств по всем параметрам. Такая конструкция устраняет необxодимость в дорогостоящей настройке.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | npn |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Тип продукта: | bjts-bipolar transistors |
| Конфигурация: | dual |
| Подкатегория: | transistors |
| Производитель: | onsemi |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | sot-363-6 |
| Категория продукта: | биполярные транзисторы-bjt |
| Полярность транзистора: | npn |
| Pd - рассеивание мощности: | 380 mw |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 v |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 v |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 65 v |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 100 ma |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 600 mv |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 mhz |