NST489AMT1G, 100nA 30V 1.18W 500@500mA,5V 2A 300MHz 100mV@1A,100mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) TSOP-6-1.5mm BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062563019
- Артикул
- NST489AMT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 1,18 Вт 500 при 500 мА, 5 В 2 А NPN TSOP-6-Биполярные транзисторы диаметром 1,5 мм - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.18W |
| Pd - Power Dissipation: | 535 mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 500@500mA, 5V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Continuous Collector Current: | 2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 300 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@1A, 100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |