Моя заявка (0)

NST45011MW6T1G, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW

NST45011MW6T1G, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8180824788
Артикул
NST45011MW6T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.02
Длина
2 mm
Серия
NST45011MW6T1G
Высота
0.9 mm
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина2 mm
СерияNST45011MW6T1G
Высота0.9 mm
КорпусSOT-363
Ширина1.25 mm
Структура2 x npn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности380 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.38
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA | 0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация