Моя заявка (0)

NST45011MW6T1G, 45V 380mW 300@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-363-6(SC-70-6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

NST45011MW6T1G, 45V 380mW 300@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-363-6(SC-70-6) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059440666
Артикул
NST45011MW6T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.04
Длина
2 mm
Серия
NST45011MW6T1G
Высота
0.9 mm
Цена по запросу
(от 50,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина2 mm
СерияNST45011MW6T1G
Высота0.9 mm
КорпусSOT-363 | sot-363
Ширина1.25 mm
Структура2 x npn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности380 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.38
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В50

Техническая документация