NST3946DXV6T1G, Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001061832
- Артикул
- NST3946DXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN|PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN/PNP 40 В 0,2 А 500 МВт 6-контактный SOT-563 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN|PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | NST3946DXV6 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Configuration | Dual |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-563 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6@NPN|5@PNP |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60@NPN|40@PNP |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min)@NPN|250(Min)@PNP |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V, 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V, 0.3 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz, 300 MHz |