NST3946DP6T5G, Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 240 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000619486
- Артикул
- NST3946DP6T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN|PNP
- Brand:
- onsemi
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN/PNP 40 В 0,2 А 420 МВт 6-контактный SOT-963 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN|PNP |
| Brand: | onsemi |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | NST3946DP6 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.004 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-963 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Power Dissipation NPN | 240мВт |
| Power Dissipation PNP | 240мВт |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 40 at 100 uA, 1 V |
| Transition Frequency NPN | 200МГц |
| Transition Frequency PNP | 250МГц |
| Квалификация | - |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz, 250 MHz |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 30hFE |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 30hFE |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| DC Ток Коллектора | 200мА |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 420 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Continuous Collector Current NPN | 200мА |
| Continuous Collector Current PNP | 200мА |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 40В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 40В |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 200(Min)@NPN|250(Min)@PNP |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV, 400 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Рассеиваемая Мощность | 240мВт |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA |
| Полярность Транзистора | Complementary NPN and PNP |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-963 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |