NST3906MX2T5G, Bipolar Transistors - BJT 200 mA, 40 V, PNP Bipolar Transistor in SOT-883
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065447373
- Артикул
- NST3906MX2T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Power - Max
- 165 mW
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 3-XFDFN
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В 200 мА 250 МГц 165 МВт для поверxностного монтажа 3-X2DFN (1x0,6)
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 165 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Supplier Device Package | 3-X2DFN(1x0.6) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |