NST30010MXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006237647
- Артикул
- NST30010MXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.003
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- NST30010MXV6
Цена по запросу
(от 58,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.003 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | NST30010MXV6 |
| Package Type | SOT-563 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 661 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 661 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 uA, 5 V, 420 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |