NSS60600MZ4T3G, Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001175094
- Артикул
- NSS60600MZ4T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 1556 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 350 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |