NSS60201LT1G, Транзистор: NPN; 60В; 2А; 460мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546404
- Артикул
- NSS60201LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- NSS60201LT1G
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | NSS60201LT1G |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 710 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 8 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 540 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |