NSS60200LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006256251
- Артикул
- NSS60200LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23
Цена по запросу
(от 58,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.46 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 |