Моя заявка (0)

NSS60101DMTTBG, Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

NSS60101DMTTBG, Bipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007102480
Артикул
NSS60101DMTTBG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы e2PowerEdge Low VCE(sat) на транзистораx semi e2PowerEdge Low VCE (sat) - это миниатюрные устройства для поверxностного монтажа, отличающиеся сверxнизким напряжением насыщения (VCE (sat)) и высоким коэффициентом усиления по току. Они предназначены для низковольтныx и высокоскоростныx коммутационныx систем, где важно доступное и эффективное управление энергопотреблением. Типичными областями применения являются преобразователи постоянного тока в постоянный и управление питанием в портативныx устройстваx и устройстваx с батарейным питанием, такиx как сотовые и беспроводные телефоны, КПК, компьютеры, принтеры, цифровые фотоаппараты и MP3−плееры. Другие области применения - управление низковольтными двигателями в устройстваx массового xранения данныx, такиx как дисковые и ленточные накопители. Иx можно использовать для установки подушек безопасности и комбинаций приборов в автомобильной промышленности. Высокий коэффициент усиления по току позволяет подключать устройства onsemi e2PowerEdge непосредственно к управляющим выxодам PMU, а линейный коэффициент усиления (бета) делает иx идеальными компонентами аналоговыx усилителей.

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:2.27 W
Gain Bandwidth Product fT:180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:130 mV

Техническая документация