Моя заявка (0)

NSS40301MZ4T1G, 100nA 40V 2W 200@1A,1V 3A 215MHz 200mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

NSS40301MZ4T1G, 100nA 40V 2W 200@1A,1V 3A 215MHz 200mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017626161
Артикул
NSS40301MZ4T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.16
Длина
6.5 mm
Серия
NSS40301
Высота
1.57 mm
Цена по запросу
(от 68,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LOW SAT BP

Технические параметры

Вес, г0.16
Длина6.5 mm
СерияNSS40301
Высота1.57 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.5 mm
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц15
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)215 MHz

Техническая документация