NSS40301MDR2G, 100nA 40V 783mW 320@2A,2V 3A 100MHz 82mV@2A,200mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOIC-8 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646796
- Артикул
- NSS40301MDR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.21
- Длина
- 5 mm
- Серия
- NSS40301MD
Цена по запросу
(от 141,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 653 МВт 180 В при 1 А, 2 В 3 А NPN SOIC-8 биполярныx транзисторов - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.21 |
| Длина | 5 mm |
| Серия | NSS40301MD |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 4 mm |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 653mW |
| Pd - Power Dissipation: | 783 mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 at 10 mA, 2 V |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@1A, 2V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 82 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 82mV@2A, 200mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA, 2 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |