NSS40300MDR2G, Bipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375131
- Артикул
- NSS40300MDR2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 5 mm
- Серия
- NSS40300MD
Цена по запросу
(от 106,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 5 mm |
| Серия | NSS40300MD |
| Package Type | SOIC |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 783 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| Maximum DC Collector Current | -3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 10 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA at 2 V, 220 at 500 mA at 2 V, 180 at |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |