Моя заявка (0)

NSS40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A

NSS40201LT1G, Bipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005526560
Артикул
NSS40201LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Серия:
NSS40201L
Package Type
SOT-23
Цена по запросу
(от 41,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 2А; 460мВт; SOT23

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.01
Серия:NSS40201L
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation540мВт
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
DC Current Gain hFE Min370hFE
Minimum DC Current Gain200
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
Тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
Maximum Power Dissipation460 mW
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Производитель:onsemi
Continuous Collector Current4А
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Торговая марка:onsemi
Упаковка / блок:SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max40В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage40 V dc
DC Усиление Тока hFE370hFE
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Частота Перехода ft150МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
Полярность ТранзистораNPN
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:540 mW
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Размер фабричной упаковки:3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):40 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:40 V
Максимальный постоянный ток коллектора:2 A
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):150 MHz

Техническая документация