NSS40200LT1G, Транзистор биполярный BJT 100 нА 40 В 540мВт 300 при 50 мА, 2 В 2 А 100 МГц 135 мВ при 2 А, 200 мА PNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041391822
- Артикул
- NSS40200LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- NSS40200L
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с низким VCE (sat) - это миниатюрные устройства для поверxностного монтажа, отличающиеся сверxнизким напряжением насыщения VCE (sat) и высоким коэффициентом усиления по току.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | NSS40200L |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 460 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -40 V |
| Continuous Collector Current | -2 A |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 250 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.135 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |