NSS35200MR6T1G, Trans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001209792
- Артикул
- NSS35200MR6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 1608 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-6 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 55 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 35 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 260 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |