NSS30201MR6T1G, Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006216073
- Артикул
- NSS30201MR6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 3 mm
- Серия
- NSS30201MR6T1G
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 70,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | NSS30201MR6T1G |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 535 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.06 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |