NSS30101LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 30В, 1А, 710мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062104695
- Артикул
- NSS30101LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- NSS30101LT1G
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 33,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A 30V Low VCEsat
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | NSS30101LT1G |
| Высота | 0.94 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |