NSS30100LT1G, Bipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072389880
- Артикул
- NSS30100LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- NSS30100LT1G
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 20,99 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 2A 30V Low VCEsat
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | NSS30100LT1G |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Power Dissipation | 710мВт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |