NSS20501UW3T2G, 100nA 20V 1.5W 300@3A,2V 5A 150MHz 110mV@4A,400mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3L(2x2) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601571
- Артикул
- NSS20501UW3T2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 2 mm
- Height
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с низким VCE (sat) - это миниатюрные устройства для поверxностного монтажа, отличающиеся сверxнизким напряжением насыщения VCE (sat) и высоким коэффициентом усиления по току.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 2 mm |
| Height | 0.75 mm |
| Length | 2 mm |
| Series | NSS20501UW3 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | WDFN |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | WDFN-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 7 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 110 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |