Моя заявка (0)

NSS20201LT1G, 100nA 20V 540mW 360@500mA,2V 2A 150MHz 72mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT ROHS

NSS20201LT1G, 100nA 20V 540mW 360@500mA,2V 2A 150MHz 72mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601855
Артикул
NSS20201LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Корпус
SOT-23-3(TO-236)
Power Dissipation
540мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 57,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
КорпусSOT-23-3(TO-236)
Power Dissipation540мВт
Структураnpn
DC Current Gain hFE Min200hFE
Continuous Collector Current2А
Collector Emitter Voltage Max20В
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft150МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150

Техническая документация