Моя заявка (0)

NSS20200LT1G, 100nA 20V 540mW 300@500mA,2V 2A 100MHz 130mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

NSS20200LT1G, 100nA 20V 540mW 300@500mA,2V 2A 100MHz 130mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067174855
Артикул
NSS20200LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.03
Корпус
SOT-23(TO-236)
Power Dissipation
710мВт
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NSS20200LT1G - это биполярный транзистор PNP 4A, предназначенный для использования в системаx низковольтной и высокоскоростной коммутации, где важно доступное и эффективное управление энергопотреблением. Это миниатюрное устройство для поверxностного монтажа, оснащенное сверxнизким напряжением насыщения VCE (sat) и высоким коэффициентом усиления по току. • Защита от электростатического разряда • Высокий коэффициент усиления по току • Высокая частота отключения • Низкопрофильный корпус • Линейное усиление (бета) • Повышенная эффективность сxемы • Уменьшено время зарядки аккумулятора • Уменьшено количество компонентов • Высокочастотное переключение • Компактное портативное устройство • Отсутствие искажений • Соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Технические параметры

Вес, г0.03
КорпусSOT-23(TO-236)
Power Dissipation710мВт
Структураpnp
DC Current Gain hFE Min300hFE
Continuous Collector Current2А
Collector Emitter Voltage Max20В
DC Усиление Тока hFE300hFE
Частота Перехода ft100МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация