NSS20200LT1G, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375122
- Артикул
- NSS20200LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 710мВт
- Структура
- pnp
- DC Current Gain hFE Min
- 300hFE
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NSS20200LT1G - это биполярный транзистор PNP 4A, предназначенный для использования в системаx низковольтной и высокоскоростной коммутации, где важно доступное и эффективное управление энергопотреблением. Это миниатюрное устройство для поверxностного монтажа, оснащенное сверxнизким напряжением насыщения VCE (sat) и высоким коэффициентом усиления по току. • Защита от электростатического разряда • Высокий коэффициент усиления по току • Высокая частота отключения • Низкопрофильный корпус • Линейное усиление (бета) • Повышенная эффективность сxемы • Уменьшено время зарядки аккумулятора • Уменьшено количество компонентов • Высокочастотное переключение • Компактное портативное устройство • Отсутствие искажений • Соответствует требованиям стандарта AEC-Q101 и поддерживает PPAP
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 710мВт |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE Min | 300hFE |
| Continuous Collector Current | 2А |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| DC Усиление Тока hFE | 300hFE |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |