NSS1C301ET4G,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8811279948
- Артикул
- NSS1C301ET4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.3
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 118 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 360 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 115 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |