NSS1C201LT1G, 100nA 100V 710mW 240@500mA,2V 2A 110MHz 150mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017602192
- Артикул
- NSS1C201LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 41,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 490 МВт, 120 при 500 мА, 2 В 2 А, биполярные транзисторы NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Power Dissipation (Pd) | 490mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 490 mW |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 140 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 7 V dc |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@2A, 200mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 110 |