NSS1C200MZ4T3G, Bipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739176
- Артикул
- NSS1C200MZ4T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.11
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- NSS1C200
- Высота
- 1.57 mm
Цена по запросу
(от 82,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | NSS1C200 |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |