NSS12500UW3T2G, Trans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001288617
- Артикул
- NSS12500UW3T2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2 mm
- Серия
- NSS12500UW3
- Высота
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 811 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | NSS12500UW3 |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | WDFN3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 875 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |