NSS12200LT1G, Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006221326
- Артикул
- NSS12200LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- NSS12200L
- Высота
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | NSS12200L |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 540 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.13 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |