NSM80101MT1G, Bipolar Transistors - BJT NPN TRANS & SWCH DIODE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062556786
- Артикул
- NSM80101MT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- NSM80101M
- Структура
- npn
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN TRANS & SWCH DIODE
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | NSM80101M |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |