Моя заявка (0)

NSM80100MT1G, 80V 400mW 120@10mA,1V 500mA NPN +&2 DIodes SC-74-6 BIpolar TransIstors - BJT

NSM80100MT1G, 80V 400mW 120@10mA,1V 500mA NPN +&2 DIodes SC-74-6 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062513646
Артикул
NSM80100MT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.04
Серия
NSM80100M
Структура
npn
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 33,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP TRANS & SWCH DIODE

Технические параметры

Вес, г0.04
СерияNSM80100M
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-74-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности400 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120

Техническая документация