NSM4002MR6T1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A/0.5A 300mW 6-Pin SC-74 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002190786
- Артикул
- NSM4002MR6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
- Package Type
- SC-74
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 620 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | SC-74 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Complex |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 260 mW |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V, 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 500 uW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA, 500 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V, 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA, 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV, 700 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300, 600 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz, 100 MHz |