NSL12AWT1G, Trans GP BJT PNP 12V 2A 650mW 6-Pin SC-88 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001033822
- Артикул
- NSL12AWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 2823 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 12V 2A 650 МВт 6-контактный SC-88 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single Quad Collector |
| Package Width | 1.25 mm |
| Package Length | 2 mm |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-88 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Minimum DC Current Gain | 100@0.5A@1.5V|100@0.8A@1.5V|100@1A@1.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 650 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 5 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 12 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 12 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.95@20mA@1A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.16@10mA@0.5A|0.235@16mA@0.8A|0.29@20mA@1A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |