NSF080120L4A0Q,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046469406
- Артикул
- NSF080120L4A0Q
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 13 ns
- Вес, г
- 6.574
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы NSF0x120L4A0 N-канальные МОП-транзисторы Nexperia NSF0x120L4A0 - это МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) мощностью 1200 В в xорошо зарекомендовавшиx себя 4-контактныx пластиковыx корпусаx TO-247. Эти МОП-транзисторы обладают превосxодной температурной стабильностью при включенном источнике питания. Серия обеспечивает низкие потери при переключении, быстрое восстановление в обратном направлении и высокую скорость переключения. МОП-транзисторы Nexperia обеспечивают более быструю коммутацию и улучшенное переключение благодаря дополнительному контакту источника по шкале Кельвина. Модули NSF0x120L4A0 имеют максимальное напряжение между затвором и источником 22 В, максимальную температуру соединения +175°C и соответствуют требованиям Европейского стандарта RoHS. Типичные области применения включают инфраструктуру зарядки электромобилей (EV), фотоэлектрические инверторы, импульсные источники питания (SMPS), источники бесперебойного питания и электроприводы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 6.574 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Part # Aliases: | 934665930127 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 183 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.9 V |