NSF080120L3A0Q, SiC MOSFETs NSF080120L3A0/ SOT429-2/TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026779428
- Артикул
- NSF080120L3A0Q
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 52nC |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 25A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 183W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | -10…22V |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 80A |
| Особенности | высоковольтный |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 183 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13Ω@10V, 22A |