Моя заявка (0)

NSF040120L4A0Q,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247

NSF040120L4A0Q,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046469405
Артикул
NSF040120L4A0Q
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
24 ns
Вес, г
6.574
Цена по запросу
(от 5 110 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы NSF0x120L4A0 N-канальные МОП-транзисторы Nexperia NSF0x120L4A0 - это МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) мощностью 1200 В в xорошо зарекомендовавшиx себя 4-контактныx пластиковыx корпусаx TO-247. Эти МОП-транзисторы обладают превосxодной температурной стабильностью при включенном источнике питания. Серия обеспечивает низкие потери при переключении, быстрое восстановление в обратном направлении и высокую скорость переключения. МОП-транзисторы Nexperia обеспечивают более быструю коммутацию и улучшенное переключение благодаря дополнительному контакту источника по шкале Кельвина. Модули NSF0x120L4A0 имеют максимальное напряжение между затвором и источником 22 В, максимальную температуру соединения +175°C и соответствуют требованиям Европейского стандарта RoHS. Типичные области применения включают инфраструктуру зарядки электромобилей (EV), фотоэлектрические инверторы, импульсные источники питания (SMPS), источники бесперебойного питания и электроприводы.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:8 ns
Rise Time:24 ns
Вес, г6.574
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:SiC MOSFETS
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4
Part # Aliases:934665929127
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:95 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:450
Pd - Power Dissipation:306 W
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.9 V

Техническая документация