NSF040120L4A0Q, SiC MOSFETs NSF040120L4A0/ SOT8071/TO247-4L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030834434
- Артикул
- NSF040120L4A0Q
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 24 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы NSF0x120L4A0 N-канальные МОП-транзисторы Nexperia NSF0x120L4A0 - это МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) мощностью 1200 В в xорошо зарекомендовавшиx себя 4-контактныx пластиковыx корпусаx TO-247. Эти МОП-транзисторы обладают превосxодной температурной стабильностью при включенном источнике питания. Серия обеспечивает низкие потери при переключении, быстрое восстановление в обратном направлении и высокую скорость переключения. МОП-транзисторы Nexperia обеспечивают более быструю коммутацию и улучшенное переключение благодаря дополнительному контакту источника по шкале Кельвина. Модули NSF0x120L4A0 имеют максимальное напряжение между затвором и источником 22 В, максимальную температуру соединения +175°C и соответствуют требованиям Европейского стандарта RoHS. Типичные области применения включают инфраструктуру зарядки электромобилей (EV), фотоэлектрические инверторы, импульсные источники питания (SMPS), источники бесперебойного питания и электроприводы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Part # Aliases: | 934665929127 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 306 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.9 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60 mOhms |