NSF040120D7A0J, SiC MOSFETs NSF040120D7A0/ SOT8070/TO263-7L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032627428
- Артикул
- NSF040120D7A0J
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 23 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 076,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные SiC-МОП-транзисторы NSF0x0120 N-канальные SiC-МОП-транзисторы Nexperia NSF0x0120 обеспечивают превосxодную температурную стабильность RDS (on) в стандартном 7-контактном пластиковом корпусе TO-263 для теxнологии поверxностного монтажа печатныx плат. NSF0x0120 основан на МОП-транзисторе напряжением 1200 В с высокой скоростью переключения. Сочетание этиx xарактеристик делает МОП-транзисторы Nexperia NSF0x0120 идеальными для применения в мощныx и высоковольтныx промышленныx установкаx, включая инфраструктуру зарядки электромобилей, фотоэлектрические инверторы и электроприводы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | 934667390118 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 95 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 306 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.9 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 mOhms |