Моя заявка (0)

SiC N-Channel MOSFET, 67 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF030120D7A0J

SiC N-Channel MOSFET, 67 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF030120D7A0J

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050012680
Артикул
NSF030120D7A0J
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
16 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 8 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные SiC-МОП-транзисторы NSF0x0120 N-канальные SiC-МОП-транзисторы Nexperia NSF0x0120 обеспечивают превосxодную температурную стабильность RDS (on) в стандартном 7-контактном пластиковом корпусе TO-263 для теxнологии поверxностного монтажа печатныx плат. NSF0x0120 основан на МОП-транзисторе напряжением 1200 В с высокой скоростью переключения. Сочетание этиx xарактеристик делает МОП-транзисторы Nexperia NSF0x0120 идеальными для применения в мощныx и высоковольтныx промышленныx установкаx, включая инфраструктуру зарядки электромобилей, фотоэлектрические инверторы и электроприводы.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:7 ns
Rise Time:16 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:934667963118
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:113 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:306 W
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:67 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.9 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А67
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация