Моя заявка (0)

NSBC123JPDXV6T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm

NSBC123JPDXV6T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000285294
Артикул
NSBC123JPDXV6T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Структура
npn
Количество Выводов
6 Выводов
Монтаж транзистора
Surface Mount
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.

Технические параметры

Вес, г0.01
Структураnpn
Количество Выводов6 Выводов
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-563
Резистор База-эмиттер R247кОм
Резистор На входе Базы R12.2кОм
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R20.047соотношение
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация